PVT單晶生長(zhǎng)爐

本設(shè)備用于ALN、SiC單晶生長(zhǎng) 。設(shè)備特點(diǎn)：采用PVD法生長(zhǎng)單晶。帶坩堝升降機(jī)構(gòu)，多路測(cè)溫。技術(shù)指標(biāo): 1、工作腔φ650×500 mm 2、...

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詳細(xì)內(nèi)容

本設(shè)備用于ALN、SiC單晶生長(zhǎng) 。

設(shè)備特點(diǎn)：

采用PVD法生長(zhǎng)單晶。帶坩堝升降機(jī)構(gòu)，多路測(cè)溫。

技術(shù)指標(biāo):

1、工作腔φ650×500 mm

2、最高工作溫度～2400℃

3、極限真空度<8× 10^-5Pa

4、加熱功率～120KW

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